第四章 最佳化MOSFET模型

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但是這些研究都是透過物質層面，透過改變電晶體材料，來實現最佳化MOSFET電晶體的目的。

遲遲沒有從數學模型層面出發，很好最佳化胡正明的MOSFET模型的結果。

要知道此時離1985年過去了十三年。

遠在舊金山灣區的胡正明教授，每天早上和往常一樣，先查閱一遍自己的郵箱。

電子郵箱已經有十來年的歷史，這十來年裡，受益於電子郵箱，來自世界各地的科學家們交流變得更加頻繁。

對於胡正明來說，每天到辦公室的第一件事，也從查收紙質郵件，變成了查收電子郵件。

一封名為MOSFET模型最佳化的郵件，很快吸引了他的注意。

畢竟作為該模型的創造者，胡正明本人也希望能夠進一步最佳化它。

可惜不管是他本人，還是其他科學家，都沒有誰能夠從數學模型的角度，對MOSFET進行最佳化。

“……這種臨界能量和觀察到的時間依賴性可以用涉及=Sis H鍵斷裂的物理模型來解釋。器件壽命與I－2sub 9 I1d9ΔV15t成正比。如果由於L小或Vd大等原因導致Isub變大，則τ會變小。因此，Isub（可能還有光發射）是τ的有力預測因子。

已發現比例常數因不同技術而異，相差100倍，這為未來透過電介質/介面技術的改進提供了顯著提高可靠性的希望。一個簡單的物理模型可以將溝道場Em與所有器件引數和偏置電壓相關聯。描述了它在解釋和指導熱電子縮放中的用途。”

因為胡正明構建的數學模型很簡單，簡單的描繪了MOSFET退化的本質。

越是簡單的模型，越難進行最佳化。

但是這封郵件，為胡正明提供了一個新的角度來對這個問題進行思考。

最佳化後的數學模型，能夠解釋更多的現象，從而對熱電子縮放的現象進行更好的監控。

為了看這封郵件，胡正明完全忘了還有咖啡這回事。

他看完核心部分後，再回過頭去看了眼是誰發給他的郵件，[email protected]，來自燕大的郵件。

“周新？我沒聽過燕大半導體領域有這麼一號人物啊？而且按理來說不應該發論文嗎？”胡正明內心很是納悶。

能夠做出這種級別創新的一般來說，不會是什麼無名之輩。

胡正明又看了下郵件的最後部分，郵件最後部分表達了希望來他手下讀博。

胡正明這下才懂，對方為什麼給他發這封郵件。

原來是透過這種方式來吸引他的注意力。

之前他也收到過華國學生寄來類似的郵件，透過表達自己對科研的看法，以及讀一些論文之後的想法，試圖從他這裡獲得一封推薦信。

放在二十年後，這叫套磁。

只是這些華國學生的跨國郵件充其量只是一個想法。

而周新發過來的，補充一點總述，就稱得上一篇完整的論文，而是是可以發頂刊的論文。

胡正明打算回一封郵件給對方，打一通電話，詳細聊聊。

如此高質量的論文，出自一名大學生之手還是很罕見的。

胡正明希望透過直接通話，對對方的水平進行進一步的確認。