第五十七章 關鍵鷹

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MOSFET可以說是最常見的電晶體，幾乎不需要透過輸入電流來控制負載電流。

MOSFET多種多樣，但是基本都能夠分成兩類，增強型和耗盡型。

然後這兩種型別可以用作n溝道或者p溝道。

MOSFET是平面電晶體，而胡正明發明的FinFET架構則是3D的電晶體，3D電晶體能夠克服電晶體本身可能遭遇的短溝道效應。

簡單來說FinFET能以更低的成本實現更高的效能指標。finFET的設計主要為突破25nm製程，解決mosFET由於製程縮小伴隨的隧穿效應。

當然從FinFET這個架構2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入臺積電作為首席專家，臺積電在2002年12月才拿出第一個真正意義上的FinFET電晶體。

而一直到了2012年商用22nm的FinFET架構的電晶體才面世。

這是一個非常漫長的過程。

周新要講的是MOSFET架構的某一種最佳化。

帶有些許的FinFET架構思想在其中。

但是順著這條路去思考，反而會走上彎路。

“……我們可以發現當一端沒有電壓時，通道會顯示最大電導。當兩端電壓同為正或同為負的時候，通道的電導率會降低。

我們嘗試關閉不導通的區域，讓MOSFET在該區域工作的時候，把歐姆區作為放大器。

在飽和區MOSFET的I DS是恆定的，儘管V DS增加並且一旦V DS超過夾斷電壓V P的值就會發生。

在這種情況下，該裝置將像一個閉合的開關一樣工作，飽和的I DS值流過該開關。

因此，無論何時需要MOSFET執行開關操作，都會選擇該工作區域……

這樣一來我們就能夠讓MOSFET在較低電壓下以更高效率執行。”

周新的論文講完後臺下響起了禮貌的掌聲。

因為周新的內容是純粹的模型，也就是從理論層面講述一個更加優秀的MOSFET架構，而缺乏實驗資料。

很多東西模型設計的很完美，不代表在實驗室復刻出來真的有這麼完美。

現實世界是無法像理論推演一樣完美的。

不過單純從內容上來說，周新的MOSFET架構給了在場的研究人員們很多思考。

後續一些關於論文字身內容的提問，周新也回答的挑不出任何毛病。

在提問環節結束後，在場的掌聲要真誠很多。

論文字身能夠證明一部分，提問環節能夠進一步驗證周新自身的實力。

大家都是研究人員，財富和資產只是附加項，你本身在科研方面的實力才會讓在場的研究人員們產生親近的情緒。

這小子和我們是一路人。

“非常不錯，如果你不是我的學生，我會以為你是來開過很多次的老手。

你表現得很成熟，以後多來幾次基本上大家都熟悉你了，後續你想做點什麼，認識這幫人對你來說很有好處。

也許他們不會跟你回華國，但是你可以把研發中心設在矽谷或者歐羅巴。

這對你來說再簡單不過了。”胡正明在臺下等周新下來之後邊鼓掌邊用中文說道。

“後續我會帶你挨個去認識，我覺得在積體電路領域研究方向比較有前景的一些科研人員。