第一百三十一章 光刻機技術路線

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阿美利肯跟這個名字重名的應該很少，不過當時林本堅沒有去問胡正明。

再後來Quora的橫空出世，讓林本堅確定了Newman就是周新，同時他也羨慕自己的好友能招到這麼厲害的學生。

才來阿美利肯一年時間，從成就上來說妥妥的華人之光，周新在阿美利肯都快成華人的代名詞了。

因為現在是九月，但凡是新來阿美利肯留學的燕大學生，都會被他們同學問到，他們認不認識周新。

招到周新這樣的學生是胡正明的福氣，林本堅從來不認為自己能和周新產生什麼交集。

只是沒想到這次他來舊金山參加光學大會，胡正明會幫周新約他一起吃個飯。

無論他怎麼想，林本堅也只能想到對方確實有學術上的問題要當面請教他。

林本堅客氣道：“Newman，正明他做的主要是在半導體元器件領域的研究，當然也包括EDA電路設計和模擬IC。

我想你是他的學生，之前你發表的論文我也看過，實際上也是半導體元器件方向的內容，我主要做的是光學和半導體的重疊方向。

你提出的問題，我不一定能夠答得上來。”

從學術地位和年紀上來說，林本堅要比周新更高，從社會地位上來說，周新無疑高太多。當你不知道該如何稱呼對方的時候，稱呼對方的英文名總沒錯。

周新：“我知道你的研究方向，你之前一直在IBM工作，做紫外光的光刻研究。離開IBM自己創業，從事的也是光刻機領域的研究。

我最近對光刻機很感興趣，所以想和前輩聊聊。”

林本堅的中文說得不太好，因此二人是用英文交流。

“現在光刻機的主流光源採取的是KrF，但是前輩你一直認為ArF才是未來的發展方向。

實際上工業界沒有誰採用ArF，無論是尼康還是佳能，他們都一直在KrF上投入研發經費。

我想知道為什麼前輩你這麼看好ArF。”

ArF和KrF是光刻技術中使用到的深紫外光源，目前主流廠商採用的全部都是KrF。

ASML和臺積電合作，在林本堅的帶領下，最早開始大規模往ArF方向投入，這也是後續ASML實現技術壟斷的關鍵因素之一。

說到這裡就多說兩句，大家都知道光刻機是半導體制程中的關鍵裝置，用於將設計圖案轉移到晶圓上。

但是具體光刻機是怎麼作業的，很多人並不是那麼清楚。簡單來說先在晶圓表面塗上一層光敏性的光刻膠，這種光刻膠會在紫外光照射下發生化學反應，然後改變它的溶解性。

國內光刻機被卡脖子，光刻膠同樣被卡脖子。

然後使用光掩膜，一個上面有著細微圖案的透明載體，細微圖案代表了積體電路中的不同元件和互連。光掩膜被放置在光刻機的光源和矽晶圓之間。

光刻機中的光源（KrF或者ArF）照射到光掩膜上。

光透過圖案的開放區域，被阻擋的部分與圖案相對應。

然後，光透過投影光學系統，該系統將圖案縮放並聚焦到矽晶圓上塗有光刻膠的表面。

經過曝光後，光刻膠中的光敏材料發生化學變化。

在陽性光刻膠中，曝光區域變得更容易溶解；在陰性光刻膠中，曝光區域變得更不容易溶解。

將矽晶圓浸入顯影液中，溶解掉光刻膠中發生化學變化的區域。這樣，光掩膜上的圖案就被準確地轉移到矽晶圓表面的光刻膠上。

光刻膠圖案形成後，透過刻蝕、摻雜或金屬沉積步驟將逐層構建出完整的晶片。

在沒有線上百科，不對，現在已經有Quora百科了，總之能夠準確說出ArF和KrF證明周新在光刻機領域還是有比較深入研究的。

畢竟很多光刻機領域的從業人員都不知道還有ArF這條技術路線。

林本堅說：“ArF的波長是193nm，而KrF光源的波長是248nm，較短的波長有助於實現更高的解析度和更精細的圖案。”

周新問：“但是ArF他在具體處理更小的製程節點的時候，會出現更多的線性波動和不規則性。

雖然ArF波長更短，但是它的不可控性更高。

這對於工業化生產來說是大忌。這才是為什麼尼康也好，ASML也好，在嘗試過ArF之後，都不願意繼續朝著這個方向投入研發成本的最重要原因吧。”

周新話音剛落，林本堅臉色大變，周新知道ArF和KrF，這他能理解。

因為這些都是發表在公開期刊上的內容，但凡對光刻機感興趣的人，都有機會閱讀到。

但是周新能夠準確說出不往ArF方向投入的原因，即便從業人員，都沒有辦法知道的內容。