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第484章 技术结缘（第4页）

钱兰在黑板上画了一个自己的方案：“我们的设计，译码器用了预充电电路。地址变化的时候，所有字线先预充到高电平，然后根据译码结果把不需要的拉低。这样能降低功耗，提高度。”

陈老师看了几秒，点点头：“这个思路好。我们的译码器是直接驱动，功耗确实偏大。你这个预充电，能省不少。”

钱兰又画了一个方块：“读写控制电路呢？您用的什么结构？”

陈老师在黑板上画了一个简图：“标准的读写控制，写的时候直接驱动位线，读的时候用灵敏放大器感知位线上的信号。”

他顿了顿，又补充了一句：“我们的灵敏放大器是差分的，能感知几十毫伏的信号变化，灵敏度很高。”

钱兰愣了一下：“你们加了灵敏放大器？”

“对。”陈老师说，“六管单元的读信号很弱，不加灵敏放大器，读出来的数据可能不对。你们没加？”

钱兰沉默了一秒，摇摇头：“我们是直接用反相器做读放大器，信号弱的时候容易出错。”

陈老师笑了笑：“那你们的读可靠性有问题。回去加上。”

钱兰在笔记本上记下来，又问：“写入驱动器呢？”

陈老师又画了一个图：“标准的推挽结构，能提供大电流，把数据写进单元。”

钱兰看了一眼，眼睛亮了：“你们的写入驱动器，能提供多少电流？”

“设计值是毫安。实测能到。”

钱兰吸了一口气：“我们的只有o毫安，写的时候经常写不进去。这个参数，我得回去改。”

她顿了顿，又问：“输出缓冲器呢？”

陈老师在黑板角落画了一个小图：“三态输出缓冲器。读的时候，根据片选信号，决定是把数据放到总线上，还是变成高阻态。这样多个芯片可以共享数据线。”

钱兰点点头：“这个我们有。”

她走回座位，坐下。

会议室里安静了几秒。

陈光远打破沉默：“小钱，你们的方案，跟陈老师的比，优缺点是什么？”

钱兰想了想，说：“译码器方面，我们的预充电方案更优，功耗更低。读写控制方面，陈老师的灵敏放大器方案更可靠。写入驱动方面，陈老师的电流更大，写入更稳。输出缓冲器，两家都有。”

她顿了顿：“总体来说，陈老师的方案在某些细节上比我们考虑得更周全。特别是灵敏放大器，我们之前忽略了，回去得加上。”

陈老师笑了笑：“钱工，你的方案也不差。预充电那个思路很好，我认为我们应该统合一下，做出更好的来。”

钱兰点点头：“陈老师说的对，我邀请你到我们实验室参与设计，一起做出更好的存储来。”

会议室里的气氛松弛下来。

陈光远正要说话，陈老师又开口了：“等等，我还没讲完。”

他转身，在黑板上又画了一个图。

这次的图更复杂，阵列更大，线条更密。

“这是我们设计的第二款。”他说，“动态随机存储。”

台下安静了。

陈老师指着那个图：“一管一容。一个比特只用一个管子加一个电容。面积是六管单元的六分之一，甚至十分之一。同样的芯片面积，容量能翻十倍。”

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他转过身，看着台下：“这一款的目标容量，是kbit。x，或者x。”

台下有人倒吸一口气。

kbit，个字节，是上一款的八倍。

陈老师正要继续讲，钱兰又举手了。

“陈老师，我能不能问几个问题？”

陈老师看着她：“问。”

钱兰站起来，走到黑板前。

“第一，电容怎么画？”

她拿起粉笔，在动态存储单元的图旁边画了一个剖面图。

“五微米工艺，要在硅片上做一个能稳定存储电荷的电容。它需要极薄的介质层，需要足够大的极板面积，需要极低的漏电流。这三个要求，每一个都在挑战我们现有的材料和工艺极限。”

她转过身，看着台下的胡教授。